钯、镍、铂及其合成物，常被用作制造氢气传感器的活性材料。具体来说，这些活性元素，可被看作可与氢元素发生反应的催化材料，且氢元素能与这些元素相容，还可溶于该元素。目前，作为为活性元素，钯、铂、镍元素在氢传感器中得以广泛应用。
这些活性材料在吸收了氢分子之后，会改变其本身的物理参数。例如，在金属氧化物半导体为基础的电容式氢气传感器中，氢原子在金属栅中扩散，并在钯氧化物表面上形成了一个偶极层，该偶极层导致了活性元素的功函数的改变。

氢气是取代石化燃料的潜力替代能源之一，然而具备高度易燃性，因此如果要发展氢能源经济，能侦测氢气的传感器*。然而到目前为止，氢气传感器的大挑战在于需要较高的温度才能起作用，而且敏感度较低、反应时间也较缓慢。

    而来自荷兰的台夫特理工大学（Delft University of Technology，TU Delft）研究人员宣称，他们已经克服上述挑战，开发了一种以三氧化钨（ungsten trioxide，WO3）薄层制作的新型传感器，结合了高电阻以及利用铂金催化剂感测氢气的能力，可以在接近室温下感测到1pppm的氢气浓度，而且当氢气浓度超过100pppm时，反应时间不到1秒。

据了解，研究人员首先是利用名为脉冲雷射沉积的方法制作三氧化钨薄层，如此能在一片基板上一层层单独沉积该种材料层。利用这种方法，研究人员制作出厚度仅9奈米的三氧化钨薄层。

然后研究人员将铂金液滴（droplet）放置在三氧化钨薄层的上方；铂金具备一种特性，能扮演将氢分子分离为单个氢原子的催化剂，而研究人员观察到，那些原子能进入三氧化钨的晶格，并将之缓慢由绝缘体转变为金属。

研究人员的实验将三氧化钨薄膜暴露于不同的环境条件中，包括正常空气，混合了氢气的环境，还有真空；而实验结果可以看出，其电阻与样本颜色会在暴露于氢气时改变，但在正?？掌杏只峄指闯跏甲刺?。

TU Delft开发的新型氢气传感器与其他同类传感器大的不同，就在于能在室温下使用。因为该种薄膜能与目前的半导体技术兼容，新型氢气传感器具备大量生产的潜力。